納米粒度測(cè)試：

采用動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)

測(cè)試范圍0.3nm-5um
適用體系：所有能夠穩(wěn)定存在于溶液中作布朗運(yùn)動(dòng)的顆粒。典型體系包括：乳液，有機(jī)/無機(jī)顆粒，自然/合成高分子溶液，表面活性劑，蛋白質(zhì)樣品等等
 
Zeta電位測(cè)試 ：
采用相分析光散射（M3-PALS）+激光多普勒電泳技術(shù)
Zeta電位測(cè)量范圍：無實(shí)際限制
樣品要求：遷移率：0～無實(shí)際上限；電導(dǎo)率范圍：0-200mS/cm；粒徑范圍：4nm-100um
適用體系：水相或有機(jī)相中穩(wěn)定存在，或做緩慢沉降運(yùn)動(dòng)的顆粒。典型體系包括：金屬、有機(jī)顆粒、蛋白質(zhì)、聚電解質(zhì)、無機(jī)氧化物、乳液、漿料、煤黑、油墨、炭黑等等
 
表面電位測(cè)試：
檢測(cè)各種表面和吸附在表面的材料的Zeta電位
檢測(cè)外部環(huán)境，如pH，離子濃度，以及吸附效果，如蛋白、表面活性劑的影響
適用體系：固體表面、硅片、高分子膜、玻璃、膜、涂層等等
 
設(shè)備參數(shù)：
激光器：4mW He-Ne高性能激光，633nm
溫度范圍：0ºC～90ºC
藍(lán)色樣品無法檢測(cè)