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        背散射電子衍射(Electron Backscattered Diffraction, EBSD)是一項(xiàng)在掃描電鏡中獲得樣品結(jié)晶學(xué)信息的新技術(shù)。通過自動(dòng)標(biāo)定背散射衍射花樣，測(cè)定大塊樣品表面（通常矩形區(qū)域內(nèi)）的晶體微區(qū)取向，此技術(shù)使塊狀樣品在觀察顯微組織形貌的同時(shí)還可以進(jìn)行晶體學(xué)數(shù)據(jù)分析。EBSD是當(dāng)今材料特征分析的重要工具，它可以用晶體取向圖的形式顯示多晶材料的晶體取向和織構(gòu)。
       EBSD的主要應(yīng)用是取向和取向差異的測(cè)量、微織構(gòu)分析、相鑒定、應(yīng)變和真實(shí)晶粒尺寸的測(cè)量。 歸納起來，EBSD技術(shù)具有以下四個(gè)方面的特點(diǎn)：(1)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)分析的精度已使EBSD技術(shù)成為一種繼X光衍射和電子衍射后的一種微區(qū)物相鑒定新方法；（2）晶體取向分析功能使EBSD技術(shù)已逐漸成為一種標(biāo)準(zhǔn)的微區(qū)織構(gòu)分析技術(shù)新方法；（3）EBSD方法所具有的高速（每秒鐘可測(cè)定100個(gè)點(diǎn)）分析的特點(diǎn)及在樣品上自動(dòng)線、面分布采集數(shù)據(jù)點(diǎn)的特點(diǎn)已使該技術(shù)在晶體結(jié)構(gòu)及取向分析上既具有透射電鏡方法的微區(qū)分析的特點(diǎn)又具有X光衍射（或中子衍射）對(duì)大面積樣品區(qū)域進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析的特點(diǎn)；（4）EBSD樣品制備也是相對(duì)簡(jiǎn)單。

                         
                                                          SUPRA55場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
UPRA55熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡廣泛用于冶金、生物、建筑、機(jī)械等行業(yè)的材料形貌觀察和分析，如金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、高分子材料、有機(jī)聚合物等。本電鏡配備有X射線能譜分析儀和EBSD 背散射電子取向成像系統(tǒng)。
EBSD探測(cè)器空間分辨率：Al 0.1mm @20kV；平均角偏差<0.5
                                                 
LEO-1450掃描電鏡及取向分析系統(tǒng)
1、  掃描電鏡工作電壓200V~30KV；分辨率3.5nm；5軸馬達(dá)樣品臺(tái)，全計(jì)算機(jī)控制；樣品臺(tái)移動(dòng)范圍：X：100mm；Y：125mm；Z：35mm，傾轉(zhuǎn)對(duì)中；二次電子像，背散射電子像
2、  能譜儀（KevexSuperDry）電制冷超薄窗口探頭；分辨率139eV（MnK2）；可分析元素范圍B~U；
3、  背散射取向分析系統(tǒng)EBSD（丹麥HKL Channel5），空間分辨率0.1m；測(cè)定速度400個(gè)取向/秒。
對(duì)外服務(wù)項(xiàng)目：
能譜儀：可分析B、C、N、O等輕元素，進(jìn)行點(diǎn)、線、面分析；同時(shí)獲取10個(gè)以上不同元素的成分信息（線、面分析時(shí)，用于成分分析）。
各種晶體材料的結(jié)構(gòu)，取向的確定；取向成像，取向差，轉(zhuǎn)軸分布，取向極圖；反極圖，ODF表示（用于結(jié)構(gòu)與取向分析也是本儀器設(shè)備的特色）。